突破14英寸 国内半导体公司传来好消息！芯片散热也有大动作

两家碳化硅公司传来重磅消息。

　　国内碳化硅突破14英寸

　　天成半导体官微3月11日发布消息称，依托其自主研发的设备，成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30mm。

　　这一突破不仅填补了国内相关领域的技术空白，更标志着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式从“12英寸普及”向“14英寸破冰”跨越。

此次14英寸产品主要应用于半导体制造设备的碳化硅部件，成功打破日韩欧企业在该领域的垄断格局，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键性突破，也为全球碳化硅半导体产业格局增添了新的变量。

　　天成半导体是国内知名碳化硅公司，其在2025年掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35mm厚。

　　大尺寸碳化硅衬底能显著降低成本、提升良品率、适配高端器件，是第三代半导体产业规模化的关键。12英寸面积约为6英寸的4倍，芯片产出为6英寸的3.8~4.4倍，14英寸将进一步放大此效应。

　　目前，碳化硅主流厂商仍停留在6英寸阶段，8英寸正快速上量。不过，近期国内多家碳化硅企业宣布在大尺寸升级上取得突破。

　　三安光电3月2日在投资者互动平台表示，公司12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

　　2月22日，露笑科技对外宣布，公司首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺的开发测试。

　　1月23日，海目星旗下子公司海目芯微成功研制出直径12英寸碳化硅单晶晶锭，完成6英寸、8英寸、12英寸全尺寸长晶技术布局。

　　2025年9月，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线。

　　天岳先进此前在投资者互动平台表示，公司已推出12英寸全系列衬底（半绝缘/导电P型/导电N型）。